На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB20NM50-1 | STB20NM50FDT4 | STB20NM50T4 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <192 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.48 нФVds = 25V | 1.38 нФVds = 25V | 1.48 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <550 В | <500 В | <550 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <20 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <250 мОмId, Vgs = 10A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | MDmesh™ | FDmesh™ | MDmesh™ |
Заряд затвора | QG | 56 нCVgs = 10V | 53 нCVgs = 10V | 56 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||