На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB200NF04-1 | STB200NF04L | STB200NF04L-1 | STB200NF04T4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <310 Вт | <300 Вт | <300 Вт | <310 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 5.1 нФVds = 25V | 6.4 нФVds = 25V | 6.4 нФVds = 25V | 5.1 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <120 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.7 мОмId, Vgs = 90A, 10V | <3.5 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <3.8 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <3.7 мОмId, Vgs = 90A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | STripFET™ | |||
Заряд затвора | QG | 210 нCVgs = 10V | 90 нCVgs = 4.5V | 90 нCVgs = 4.5V | 210 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||