На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | STB12NM50FDT4 | STB12NM50N | STB12NM50ND | STB12NM50T4 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <160 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <160 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1 нФVds = 25V | 940 пФVds = 50V | 850 пФVds = 50V | 1 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | <500 В | <500 В | <550 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <12 А | <11 А | <11 А | <12 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <350 мОмId, Vgs = 6A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | FDmesh™ | MDmesh™ | FDmesh™ | MDmesh™ |
Заряд затвора | QG | 12 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||