SPW35N60C3

SPW35N60, SPW35N60C3, SPW35N60CFD

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSPW35N60C3SPW35N60CFD
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<313 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.5 нФVds = 25V5.06 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<650 В<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<34.6 А<34.1 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<100 мОмId, Vgs = 21.9A, 10V<118 мОмId, Vgs = 21.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
CoolMOS™
Заряд затвора
QG
200 нCVgs = 10V212 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard