На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPU30N03S2-08 | SPU30N03S2L-10 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <125 Вт | <82 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.17 нФVds = 25V | 1.46 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 47 нCVgs = 10V | 39.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |