На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPU04N60C3 | SPU04N60S5 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <50 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 490 пФVds = 25V | 580 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <650 В | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.5 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <950 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | CoolMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 25 нCVgs = 10V | 22.9 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |