На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPP80N04S2-04 | SPP80N04S2-H4 | SPP80N04S2L-03 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <300 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 6.98 нФVds = 25V | 5.89 нФVds = 25V | 7.93 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 170 нCVgs = 10V | 148 нCVgs = 10V | 213 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |