На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPP15P10P | SPP15P10PG | SPP15P10PLG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB | TO-220 | TO-220 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | В отверстия |
Мощность | P | <128 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.18 нФVds = 25V | 1.28 нФVds = 25V | 1.49 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <15 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <240 мОмId, Vgs = 10.6A, 10V | <240 мОмId, Vgs = 10.6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 11.3A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | ||
Заряд затвора | QG | 50 нCVgs = 10V | 48 нCVgs = 10V | 62 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |