На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPI80N06S-08 | SPI80N06S2-07 | SPI80N06S2-08 | SPI80N06S2L-05 | SPI80N06S2L-11 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | ||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Мощность | P | <300 Вт | <250 Вт | <215 Вт | <300 Вт | <158 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.66 нФVds = 25V | 4.54 нФVds = 25V | 3.8 нФVds = 25V | 7.53 нФVds = 25V | 2.65 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <6.6 мОмId, Vgs = 68A, 10v | <8 мОмId, Vgs = 58A, 10V | <4.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 40A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
Заряд затвора | QG | 187 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V | 96 нCVgs = 10V | 230 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |