На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPI80N03S2-03 | SPI80N03S2L-03 | SPI80N03S2L-04 | SPI80N03S2L-05 | SPI80N03S2L-06 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | ||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Мощность | P | <300 Вт | <300 Вт | <188 Вт | <167 Вт | <150 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 7.02 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V | 3.9 нФVds = 25V | 3.32 нФVds = 25V | 2.53 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <80 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.4 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3.1 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <5.2 мОмId, Vgs = 55A, 10V | <6.2 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||||
Заряд затвора | QG | 150 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 105 нCVgs = 10V | 89.7 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |