На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPI11N60C3 | SPI11N60CFD | SPI11N60S5 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <125 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 1.46 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <650 В | <650 В | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <11 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <380 мОмId, Vgs = 7A, 10V | <440 мОмId, Vgs = 7A, 10V | <380 мОмId, Vgs = 7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | CoolMOS™ | ||
Заряд затвора | QG | 60 нCVgs = 10V | 64 нCVgs = 10V | 54 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||