SPD50N03

SPD50N03, SPD50N03S2-07, SPD50N03S2-07G, SPD50N03S2L-06, SPD50N03S2L-06G, SPD50N03S2L06T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSPD50N03S2-07SPD50N03S2-07GSPD50N03S2L-06SPD50N03S2L-06GSPD50N03S2L06T
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<136 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.17 нФVds = 25V2.17 нФVds = 25V2.53 нФVds = 25V2.53 нФVds = 25V2.53 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<50 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<7.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V<7.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V<6.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V<6.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V<6.4 мОмId, Vgs = 50A, 10V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
46.5 нCVgs = 10V46.5 нCVgs = 10V68 нCVgs = 10V68 нCVgs = 10V68 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate