SPD30N06S2-23

SPD30N06, SPD30N06S2-15, SPD30N06S2-23, SPD30N06S2L-13, SPD30N06S2L-23

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSPD30N06S2-15SPD30N06S2-23SPD30N06S2L-13SPD30N06S2L-23
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<136 Вт<100 Вт<136 Вт<100 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.07 нФVds = 25V1.25 нФVds = 25V2.3 нФVds = 25V1.39 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<30 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<14.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V<23 мОмId, Vgs = 21A, 10V<13 мОмId, Vgs = 30A, 10V<23 мОмId, Vgs = 22A, 10V
Серия MOSFET
Серия
OptiMOS™
Заряд затвора
QG
52 нCVgs = 10V32 нCVgs = 10V69 нCVgs = 10V42 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardLogic Level GateLogic Level Gate