На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPD30N03S2L-07 | SPD30N03S2L07T | SPD30N03S2L-10 | SPD30N03S2L-10G | SPD30N03S2L10T | SPD30N03S2L-20 | SPD30N03S2L-20G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <136 Вт | <136 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <60 Вт | <60 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.53 нФVds = 25V | 2.53 нФVds = 25V | 1.55 нФVds = 25V | 1.55 нФVds = 25V | 1.55 нФVds = 25V | 700 пФVds = 25V | 700 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | ||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <6.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <10 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | ||||||
Заряд затвора | QG | 68 нCVgs = 10V | 68 нCVgs = 10V | 41.8 нCVgs = 10V | 41.8 нCVgs = 10V | 41.8 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||