На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPD07N60C3 | SPD07N60C3T | SPD07N60S5 | SPD07N60S5T | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <83 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 790 пФVds = 25V | 790 пФVds = 25V | 970 пФVds = 25V | 970 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <650 В | <650 В | <600 В | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <7.3 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <600 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | CoolMOS™ | |||
Заряд затвора | QG | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||