На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPB10N10G | SPB10N10L | SPB10N10LG | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <50 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 426 пФVds = 25V | 444 пФVds = 25V | 444 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <10.3 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V | <154 мОмId, Vgs = 8.1A, 10V | <154 мОмId, Vgs = 8.1A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | SIPMOS® | ||
Заряд затвора | QG | 19.4 нCVgs = 10V | 22 нCVgs = 10V | 22 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |