На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPB100N03S2-03 | SPB100N03S2-03G | SPB100N03S203T | SPB100N03S2L-03 | SPB100N03S2L-03G | SPB100N03S2L03T | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||||
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <300 Вт | |||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 7.02 нФVds = 25V | 7.02 нФVds = 25V | 7.02 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V | 8.18 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <3 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V | <2.7 мОмId, Vgs = 80A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |||||
Заряд затвора | QG | 150 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 150 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V | 220 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |