На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SPB03N60C3 | SPB03N60S5 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <38 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 400 пФVds = 25V | 420 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <650 В | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.2 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | CoolMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 17 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |