SPA08N50

SPA08N50, SPA08N50C3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSPA08N50C3
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220FP
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<32 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
750 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<560 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<600 мОмId, Vgs = 4.6A, 10V
Серия MOSFET
Серия
CoolMOS™
Заряд затвора
QG
32 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard