На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SIE812DF-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 10-PolarPAK® (L) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <125 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 8.3 нФVds = 20V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <60 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 170 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |