На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SIA810DJ-T1-E3 | SIA810DJ-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <6.5 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 400 пФVds = 10V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.5 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <53 мОмId, Vgs = 3.7A, 4.5V | |
Заряд затвора | QG | 11.5 нCVgs = 8V | |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |