На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI9424BDY-T1-E3 | SI9424DY | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.25 Вт | <1 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | 2.26 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <5.6 А | <8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <25 мОмId, Vgs = 7.1A, 4.5V | <24 мОмId, Vgs = 8A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | PowerTrench® |
Заряд затвора | QG | 40 нCVgs = 4.5V | 33 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |