На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI7852ADP-T1-GE3 | SI7852DP-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerPAK® SO-8 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <62.5 Вт | <1.9 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.825 нФVds = 40V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <80 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | <7.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <17 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <16.5 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 45 нCVgs = 10V | 41 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |