На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI7848BDP-T1-GE3 | SI7848DP-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PowerPAK® SO-8 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <36 Вт | <1.83 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2 нФVds = 20V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <40 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <47 А | <10.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 14A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 50 нCVgs = 10V | 28 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |