На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI5406CDC-T1-GE3 | SI5406DC-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 1206-8 ChipFET™ | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <5.7 Вт | <1.3 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 6V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <12 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <6 А | <6.9 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 6.5A, 4.5V | <20 мОмId, Vgs = 6.9A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 32 нCVgs = 8V | 20 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |