На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4890BDY-T1-GE3 | SI4890DY-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <5.7 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.535 нФVds = 15V | (не задано) |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <16 А | <11 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <12 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <12 мОмId, Vgs = 11A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 33 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |