На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4845DY-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2.75 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 312 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <210 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 4.5 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) |