На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4800,518 | SI4800BDY-T1-E3 | SI4800BDY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <2.5 Вт | <1.3 Вт | <1.3 Вт |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <9 А | <6.5 А | <6.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <18.5 мОмId, Vgs = 9A, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 11.8 нCVgs = 5V | 13 нCVgs = 5V | 13 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||