На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4660DY-T1-GE3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <5.6 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.41 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <23.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Заряд затвора | QG | 45 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |