На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4435BDY-T1-E3 | SI4435DDY-T1-GE3 | SI4435DY | SI4435DYPBF | SI4435DYTR | SI4435DYTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |||||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <1.5 Вт | <5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | 1.35 нФVds = 15V | 2.32 нФVds = 15V | 2.32 нФVds = 15V | 2.32 нФVds = 15V | 2.32 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <7 А | <11.4 А | <8 А | <8 А | <8 А | <8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V | <24 мОмId, Vgs = 9.1A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 8A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 8A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 8A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 8A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 70 нCVgs = 10V | 50 нCVgs = 10V | 60 нCVgs = 10V | 60 нCVgs = 10V | 60 нCVgs = 10V | 60 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |