На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4431BDY-T1-E3 | SI4431CDY-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.5 Вт | <4.2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | 1.006 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <5.7 А | <9 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <30 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V | <32 мОмId, Vgs = 7A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 5V | 38 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |