На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4420BDY-T1-E3 | SI4420BDY-T1-GE3 | SI4420DY | SI4420DY,518 | SI4420DYPBF | SI4420DYTR | SI4420DYTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||||||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | NXP Semiconductors | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <1.4 Вт | <1.4 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | (не задано) | 2.24 нФVds = 15V | (не задано) | 2.24 нФVds = 15V | 2.24 нФVds = 15V | 2.24 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <9.5 А | <9.5 А | <12.5 А | <12.5 А | <12.5 А | <12.5 А | <12.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.5 мОмId, Vgs = 13.5A, 10V | <8.5 мОмId, Vgs = 13.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 12.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) | HEXFET® | TrenchMOS™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 50 нCVgs = 10V | 50 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V | 120 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V | 78 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||