На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI4410DY | SI4410DY,518 | SI4410DYPBF | SI4410DYTR | SI4410DYTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | ||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <1 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.35 нФVds = 15V | (не задано) | 1.585 нФVds = 15V | 1.585 нФVds = 15V | 1.585 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <13.5 мОмId, Vgs = 10A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | PowerTrench® | TrenchMOS™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 60 нCVgs = 10V | 34 нCVgs = 5V | 45 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||