На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI3443BDV-T1-E3 | SI3443DV | SI3443DVTR | SI3443DVTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP | 6-SSOT, SuperSOT-6 | Micro6™(TSOP-6) | 6-TSOP |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <1.1 Вт | <800 мВт | <2 Вт | <2 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | (не задано) | 640 пФVds = 10V | 1.079 нФVds = 10V | 1.079 нФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <3.6 А | <4 А | <4.4 А | <4.4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 4.7A, 4.5V | <65 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V | <65 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V | <65 мОмId, Vgs = 4.4A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | PowerTrench® | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 9 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 15 нCVgs = 4.5V | 15 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||