На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI3442BDV-T1-E3 | SI3442DV | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 6-TSOP | 6-SSOT, SuperSOT-6 |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <860 мВт | <800 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 295 пФVds = 10V | 365 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <3 А | <4.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <57 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V | <60 мОмId, Vgs = 4.1A, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 5 нCVgs = 4.5V | 14 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |