На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI2333CDS-T1-E3 | SI2333DS-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <2.5 Вт | <750 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.225 нФVds = 6V | 1.1 нФVds = 6V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <12 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <7.1 А | <4.1 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 5.1A, 4.5V | <32 мОмId, Vgs = 5.3A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 25 нCVgs = 4.5V | 18 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |