На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI2316BDS-T1-GE3 | SI2316DS-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.66 Вт | <700 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 350 пФVds = 15V | 215 пФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <4.5 А | <2.9 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V | <50 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 9.6 нCVgs = 10V | 7 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |