На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI2308BDS-T1-GE3 | SI2308DS-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.66 Вт | <1.25 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 190 пФVds = 30V | 240 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.3 А | <2 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <156 мОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <160 мОмId, Vgs = 2A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 6.8 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |