На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI2305ADS-T1-GE3 | SI2305DS-T1-E3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.7 Вт | <1.25 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 740 пФVds = 4V | 1.245 нФVds = 4V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <8 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <5.4 А | <3.5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <40 мОмId, Vgs = 4.1A, 4.5V | <52 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 15 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |