На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI2304BDS-T1-E3 | SI2304BDS-T1-GE3 | SI2304DS,215 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <750 мВт | <750 мВт | <830 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 225 пФVds = 15V | 225 пФVds = 15V | 195 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.6 А | <2.6 А | <1.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <70 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <70 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <117 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | TrenchMOS™ |
Заряд затвора | QG | 4 нCVgs = 5V | 4 нCVgs = 5V | 4.6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||