На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI2302ADS-T1-E3 | SI2302CDS-T1-GE3 | SI2302DS,215 | SI2302-TP | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | NXP Semiconductors | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <700 мВт | <710 мВт | <830 мВт | <1.25 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 300 пФVds = 10V | (не задано) | 230 пФVds = 10V | 237 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.1 А | <2.6 А | <2.5 А | <3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <57 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <85 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V | <72 мОмId, Vgs = 3.6A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | (не задано) | TrenchMOS™ | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 10 нCVgs = 4.5V | 5.5 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||