На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI2301BDS-T1-E3 | SI2301CDS-T1-GE3 | SI2301-TP | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <700 мВт | <1.6 Вт | <1.25 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 375 пФVds = 6V | 405 пФVds = 10V | 880 пФVds = 6V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <2.2 А | <3.1 А | <2.8 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V | <112 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V | <120 мОмId, Vgs = 2.8A, 4.5V |
Заряд затвора | QG | 10 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 14.5 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard | Logic Level Gate |