На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI1450DH-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <2.78 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 535 пФVds = 4V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <8 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <6.04 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <47 мОмId, Vgs = 4A, 4.5V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 7.05 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |