На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI1419DH-T1-E3 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <1 Вт |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <300 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 400mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® |
Заряд затвора | QG | 6.2 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |