SI1305

SI1305, SI1305DL-T1-E3, SI1305EDL-T1-E3

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрSI1305DL-T1-E3SI1305EDL-T1-E3
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<290 мВт
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<8 В
Постоянный ток стока
IDSS
<860 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<280 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V
Серия MOSFET
Серия
TrenchFET®(не задано)
Заряд затвора
QG
4 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate