На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | SI1022R-T1-E3 | SI1022R-T1-GE3 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | |
Производитель | Производитель | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <250 мВт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 30 пФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <330 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.25 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | TrenchFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 600 пCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |