RZE002P02TL

RZE002P02, RZE002P02TL

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрRZE002P02TL
Корпус микросхемы
Корпус
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<150 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
115 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<200 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.2 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V
Заряд затвора
QG
1.4 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate