RTR030P02

RTR030P02, RTR030P02TL

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрRTR030P02TL
Корпус микросхемы
Корпус
TSMT3
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
840 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<3 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<75 мОмId, Vgs = 3A, 4.5V
Заряд затвора
QG
9.3 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate