RTF020P02

RTF020P02, RTF020P02TL

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрRTF020P02TL
Корпус микросхемы
Корпус
TUMT3
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<800 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
640 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<85 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
Заряд затвора
QG
7 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate