RSR025N03TL

RSR025N03, RSR025N03TL

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрRSR025N03TL
Корпус микросхемы
Корпус
TSMT3
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
165 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<2.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<70 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V
Заряд затвора
QG
4.1 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate